HWMonitor 1.48版曝光AMD/英特尔新款移动处理器
硬件监控软件将 AMD 和英特尔的新款移动处理器曝光了。硬件监控软件曝光了 AMD 的新款移动处理器。硬件监控软件曝光了英特尔的新款移动处理器。最新发布的 1.48 版本把英特尔和 AMD 的多款新品给曝光了出来。
AMD 方面，曝光了两款暂未发布的移动处理器，分别是 R5 7535H 和 R7。这两款处理器都是现款 Zen3+架构，其中 R5 7535H 为 6 核，R7 为 8 核。预计它们分别是 R5 6600H 和 R7 的马甲，频率可能会有小幅提升。
英特尔方面，曝光了 i5 - 系列和 i7 - 系列。其中有 55W TDP 的移动型号，这些移动型号应该是台式机芯片移植而来。还有 45W TDP 的移动型号。
2023 年 CES 下个月开始。AMD 和英特尔预计会发布新一代移动处理器。搭载新一代移动处理器的笔记本预计在第一季度上市。
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这个软件咱们的读者应该都知晓。它和 CPU Z 是来自同一公司的硬件检测软件。回想以往的 P 后缀处理器，1370P 的偷跑信息是源自 CPU Z 的更新数据。难道这个公司是专门从事偷跑行为的？之前的 P 系列是 28W 的产品，而这次曝光的全是性能更强的标压 45W 产品，AMD 这边的则是功耗更高的 HS 后缀产品。由此可见，这次两家移动平台的高端产品都已准备就绪。不过 AMD 这边的提升并不明显，大家或许会更期待有更多小核心加持的 Intel 吧？
AMD 的 Zen4 架构有移动处理器的相关爆料。其最高可达 16 核。并且核显最高能有 12CU。
爆料人“All The Watts”近期放出了一些消息，这些消息是关于 AMD 下一代的 Zen4 架构的 U 处理器、HS 处理器以及 HX 处理器的，供大家参考。
Zen4 架构U 系列
该爆料人消息称，用于轻薄本的 Zen4 U 系列处理器有两款，一款是 8 核心，一款是 6 核心。其核显为 RDNA3 架构，分别有 12CU 和 6CU 这两款。据称核显频率有所提升，ES 版能够达到 2.6GHz，性能预计能达到 RX 570 的水平。
Zen4 架构 HS 系列
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HS 系列用于轻薄游戏本，它与 U 系列同源。HS 系列最高有 8 核，还有 12CU 核显，并且功耗更高。
Zen4 架构 HX 系列
高端游戏本使用的 HX 系列，其处理器应该是由 Zen4 桌面处理器移植而成。它有 6 核、8 核、12 核和 16 核等可选配置，核显为 2CU，TDP 为 55W，最高能达到 140W。
AMD 预计在下月初的 CES 上发布新一代移动处理器。搭载该系列处理器的笔记本最早会在第一季度上市。
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AMD 这次在移动端用上了双 CCD，此消息此前曾有传出，如今已基本确定。在这则消息中曝光的标压 R5、R7 与上文提到的基本相符。此外，AMD 这次的 HX 后缀产品比 6000 系要强很多，也就是用上了双 CCD，终于突破了 8 核的极限。这次在多核性能方面，因为有更多的大核心，或许能比对面的 i9 稍微强一些。在核显方面，12CU 的规模与 680M 是相同的，不过架构已经升级到了 RDNA3，在没有缓存加持的情况下，单纯架构性能的提升能给核显带来多大进步不太清楚，也不知道是否能超过神卡 1060 。
新闻③：三星开发新一代“”显存技术，可实现带宽和容量翻倍
据报道，虚拟世界技术对于高性能、高容量以及高带宽内存的需求在不断增加。为了满足市场的这种需求，三星开发出了新一代的产品。它作为业界首个下一代显存技术，能够有效地提升带宽以及容量。
三星有 GDDR6 产品，新的产品基于此而来。GDDR6 自开始出现后有了很大的提升。去年 7 月，三星研发出 24 Gbps 的 GDDR6 内存，它是当前业界速度最快的显存。在此之上，带宽增加了一倍，容量也增加了一倍。尺寸与 GDDR6 保持相同，没有变化。因为尺寸不变，所以用于生产 GDDR6 的生产线能够迅速转变为生产芯片。并且采用 FOWLP 技术，从而减少了制造时间和成本。FOWLP 技术能将内存芯片直接安装在硅片上，而非印刷 PCB 电路板上。接着应用了 RDL 技术，这样就实现了更精细的布线模式。基于 FOWLP 技术的封装高度为 0.7 毫米，比之前高度为 1.1 毫米的封装要薄 36%。因为不涉及 PCB，所以降低了封装厚度，并且对散热也有改善。
https://img2.baidu.com/it/u=983345084,2415887471&fm=253&fmt=JPEG&app=138&f=JPEG?w=1210&h=500
HBM2E 能够在系统级提供带宽支持，其带宽为 1.6 TB/s，基于 4K 系统级 I/O ；同时，每引脚的传输速率为 3.2 Gbps 。另一方面，基于 512 系统级 I/O 且每引脚有相应传输速率时，可达到 1.4 TB/s 的带宽。与 HBM2E 相比，它将 I/O 数量减少了大概 1/8，同时也让成本效益获得了更进一步的提升。
三星电子存储器业务新业务规划副总裁 Park 称：“将先进的封装技术应用于 GDDR6 后，提供的存储容量和性能是类似尺寸封装的两倍。”“借助此技术，我们能够培育出能满足各种客户需求的差异化内存产品，这是我们巩固市场领先地位的重要举措。”
三星电子在今年第二季度完成了产品的 JEDEC 标准化。三星电子还宣布，会通过与显卡厂商合作，把相关应用扩展到笔记本电脑等小尺寸设备上，同时也会将其应用于用于人工智能和高性能计算应用的新的高性能加速器。
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这个新技术挺不错呢。它比现在 32bit 单颗 2G 的显存要强。至少这次的显存容量翻倍了，位宽也翻倍了。不会出现那些高分低能的情况。当然啦，这种特殊的结构必然会导致发热增加。虽然肯定比 3090 那个双面显存的散热压力小，但肯定会比现在的情况差。不知道未来这种大容量显存能不能普及呢？只占用更小的面积，会不会为旗舰显卡带来更高的显存容量呢？？
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